退火炉主要用于晶体或是晶片在真空环境中的退火工艺环节，消除晶体或晶片内部应力或缺陷，从而提高晶体或晶片加工性能和品质。
性能优势
1、腔体内部经镜面抛光，减少氧化物附着，具有高真空获得能力与长时间保压能力，可以实现自动工艺方式；
2、控温精度可达±0.5℃，实现横向和纵向的温度梯度均≤0.5℃/cm。
| 化合物退火炉 | |||
| 晶体尺寸 | 6~8英寸 | ||
| 工艺 | 退火处理 | ||
| 加热方式 | 电阻式 | ||
| 基本参数 | 主机尺寸 | W1400xD1400xH3750mm | |
| 整机重量 | 约2.2T | ||
| 支持系统 | 电 源 | 容 量 | 20kW |
| 电 压 | AC 380V，50Hz | ||
| 冷 却 水 | 压 力 | 0.35~0.5MPa | |
| 流 量 | ＞120L/min | ||
| 工艺气体 | 压 力 | 0.2~0.5MPa | |
| 压缩空气 | 压 力 | 0.5~1.0MPa | |
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