采用下降式生长化合物晶体，采用石墨电阻加热 方式，生长过程全程保持在真空环境下，生长过程 具有很强的挥发性。
性能优势
腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着，具有高真空获得能力与长时间保压能力；
可以实现自动工艺方式；
系统自动记录工艺过程中的重要参数，可以生成Excel文件，方便用户查询。
| 下降式化合物长晶炉 | |||
| 晶体尺寸 | 6~8英寸 | ||
| 工艺 | 下降式 | ||
| 加热方式 | 电阻式 | ||
| 基本参数 | 主机尺寸 | W1400xD1400xH3400mm | |
| 整机重量 | 约2.5T | ||
| 支持系统 | 电 源 | 容 量 | 60kVA |
| 电 压 | 3AC380V，三相五线制，50Hz | ||
| 冷 却 水 | 压 力 | 0.35~0.45MPa | |
| 流 量 | ＞150L/min | ||
| 工艺气体 | 压 力 | ≥0.2MPa | |
| 压缩空气 | 压 力 | 0.5~1.0MPa | |
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