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采用电阻加热和改进的自蔓延高温合成法，
合成可用于单晶生长的高纯SiC粉料的设备。
可提供半定制化服务
高真空
腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着；
各表面严密结合，避免产生泄露；
大抽速泵体，实现快速抽空功能；
高密封性阀体，实现长时间的真空保压。
高精密
高精度数控加工部件；
精密传动部件；
高品质电控系统；
实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差。
全自动
自主开发系统，实现全自动过程；
兼容各种工艺操作流程；
操作权限分级，减少误动作；
自主研发异地网络远程监控SiC操作系统——安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制。
| 碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式) | |||
| 晶体尺寸 | 100 ~ 150kg | ||
| 工艺 | SHS | ||
| 加热方式 | 电阻式 | ||
| 基本参数 | 主机尺寸 | W3150 x D1850 x H4780mm | |
| 整机重量 | 约5T | ||
| 支持系统 | 电 源 | 容 量 | 280kVA |
| 电 压 | 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz | ||
| 冷 却 水 | 压 力 | 0.3 ~ 0.5MPa | |
| 流 量 | ＞250L/min | ||
| 工艺气体 | 压 力 | ＞0.2MPa | |
| 压缩空气 | 压 力 | 0.5 ~ 1.0MPa | |
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