5月18日，为期三天的第五届SEMI-e 深圳国际半导体技术暨应用展览会在深圳国际会展中心（宝安新馆）圆满落幕。

本届展览面积超40,000㎡，集结643家展商，展品涵盖电子元器件、IC设计&芯片、晶圆制造及封装、Mini/Micro-LED、半导体设备、半导体材料、第三代半导体7大领域，同期举办40+主题活动，吸引专业买家40,757人到场参观交流，累计73,646参观人次。

在展会上，港澳六宝大全携新一代碳化硅晶体生长解决方案精彩亮相，与大家共话第三代半导体发展蓝图，吸引了众多访客驻足洽谈。

随着第三代半导体的蓬勃发展，国内碳化硅产业也迅速崛起，在庞大的市场需求契机下，汉虹多部门协同作战，积极布局碳化硅炉的研发和设计，本次展出的LPE碳化硅炉和PVT碳化硅炉正是这一协同作战下的阶段性成果。

PVT碳化硅炉等比例模型

LPE碳化硅炉等比例模型

PVT碳化硅长晶炉  

4 ~ 6英寸碳化硅长晶炉（感应式）

6 ~ 8英寸碳化硅长晶炉（感应式）

6 ~ 8英寸碳化硅长晶炉（电阻式）

PVT采用感应加热方式，在石英管/不锈钢腔体内以物理气相传输(PVT )法生长生长碳化硅晶体采用下进料方式，更加利于实现工厂自动化。

技术特点：

· 下进料方式，利于实现工厂自动化。热场旋转，升降式线圈，用于调整温度场。

· 自主研发异地网络远程监控操作系统，实现长晶过程的全自动控制。

· 分级权限，便于工艺参数管理；远程控制，实现无人值守。

· 温度和压力控制的稳定性；重复定位的准确性；快速抽空及长时间真空保压。布局紧凑合理，整机呈框架式结构，将电控箱、加热电源巧妙集成于一体。

· 电动升降上下料，托盘降至最低位置后可水平移出，电动升降炉盖，省时省力，安全可靠。

· 配置两路真空系统，高精度用于晶体生长的压力控制，普通精度用于抽真空。

LPE碳化硅长晶炉 

8英寸碳化硅长晶炉(感应式/电阻式)

LPE法最大的优点在于扩径更容易、晶体长晶快、有机会生长出相较其他方法缺陷密度更少的晶体，并且生长温度也相较低，在更接近热力学平衡的条件下，对碳化硅晶型的控制也较好。

技术特点：

· 汉虹公司可根据客户的工艺情况提供半定制化服务。

· 高真空：腔体内壁经镜面抛光，减少气体附着；各表面严密结合，避免产生泄露；大抽速泵体，实现快速抽空功能；高密封性阀体，实现长时间的真空保压。

· 高精密：高精度数控加工部件；精密传动部件；高品质电控系统；实现运动系统的高精度控制，重复定位无偏差。

· 全自动：自主开发系统，实现全自动过程；兼容各种工艺操作流程；操作权限分级，减少误动作；自主研发异地网络远程监控SiC操作系统⸺安全，可靠，便捷，实现无人值守远程控制。

汉虹公司始终以提高企业技术开发能力和高新技术成果转化能力为目标，致力于将公司打造成为具有国际竞争力的、专业的半导体材料晶体生长、晶体加工系统解决方案优质供应商。未来，汉虹将继续开拓创新，研发出更多符合市场需求的产品，与客户一起，助推第三代半导体的新发展。